图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 NTTFS5811NL |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 17A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.4 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 31nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1570pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.7W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 3.05 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2700 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 6.7@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | WDFN EP |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3.05 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 0.75(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 17 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17A (Ta), 53A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-WDFN Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.4 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.7W |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1570pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 31nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTTFS5811NLTAGOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Single, Triple Source |
| 外形尺寸 | 3.15 x 3.15 x 0.8mm |
| 身高 | 0.8mm |
| 长度 | 3.15mm |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| 最大漏源电阻 | 10 mΩ |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2.7 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | WDFN-8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 31 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1570 pF V @ 25 |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 宽度 | 3.15mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 53 A |
| 正向跨导 - 闵 | 24.6 S |
| RDS（ON） | 5.5 mOhms |
| 功率耗散 | 2.7 W, 33 W |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 31 nC |
| Continuous Drain Current Id | :53A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0055ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.7V |
| 功耗 | :33W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :WDFN |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.000005 |
| Tariff No. | 85412900 |
NTTFS5811NLTAG也可以通过以下分类找到
NTTFS5811NLTAG相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
